半导体原料共经历了三个发展阶段：
第一阶段是以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体原料；
第二阶段是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；
第三阶段是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe）等宽带半导体原料为主。

在材料领域的第一代、第二代、第三代，并不具有“后一代优于前一代”的说法。
国外一般会把氮化镓、碳化硅等材料叫做宽禁带半导体；
把氮化镓、氮化铝、