第三代半导体主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，其中国内碳化硅能量产的公司较少，具有稀缺性，符合 “最属性”的炒作原则。