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ASEMI大功率MOS管90N10参数：
型号：90N10
漏源电压（VDSS）：100V
连续漏极电流（ID）：90A
栅源电压（VGSS）：±20V
功耗（PD）：125W
漏源漏电流（IDSS）：100uA
栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ
输出电容（COSS）：940pF
脉冲漏极电流（IDM）：360A
漏源二极管正向电压（VSD