传统的嵌入式非易失性存储NOR Flash在微缩到40nm后已经接近物理极限，而40nm以下的嵌入式非易失性存储NOR Flash工艺相当复杂，且成本大幅度提高，嵌入式内存技术面临着重大挑战。江苏时代芯存半导体有限公司（以下简称：时代芯存）母公司北京时代全芯存储技术股份有限公司（以下简称：时代全芯）积极布局的相变存储器（PCM）能够为嵌入式内存技术发展提供极大的帮助。 [图片]
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