一、中国科学院物理研究所 天科合达CEO陈小龙等发明《在碳化硅（SiC）基底上外延生长石墨烯的方法 》

在碳化硅（SiC）基底上外延生长石墨烯的方法

专利号 CN200910077648.8

专利持有人：中国科学院物理研究所 发明人：陈小龙;黄青松;王文军;王皖燕;杨蓉

本发明公开了一种新型半导体薄膜材料石墨烯在碳化硅（SiC）基底上外延生长，这种石墨烯在电子束轰击下，强制形核并可控