人民网武汉4月11日电（记者 范昊天）11日上午，位于武汉东湖高新区武汉未来科技城的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。
据介绍，总投资240亿美元的国家存储器基地项目于2016年底正式开工，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同