纳米相变芯片速度较前快千倍

据悉，中国成功研发的新型芯片是55纳米相变存储芯片，这对于中国集成电路领域是一次重大突破。我国成为自美韩两国之后，世界第三个成功掌握相变存储技术的国家，拥有完整的属于自己的知识产权。而我国研究这款新型芯片成功的消息，也在国际也引起了轰动。集成电路领域的许多专家认为，所谓的相变存储是国际公认的第四代存储技术，一旦成功实现量产，将比过去芯片执行速度快一千倍，耐用性高一万倍