既8月初云南锗业子公司鑫耀半导体通过华为海思现场验证，拟为华为海思配套建设一条6英寸砷化镓晶片、一天4英寸磷化铟晶片生产线后，今晚终于传来好消息，云南锗业在原年产5万片2英寸磷化铟晶片生产线基础上，正式启动扩建年产15万片配套华为海思4英寸磷化铟晶片生产线。
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磷化铟（InP），是第二代化合物半导体材料，具有电子迁移率高、耐辐射性能好、禁带宽度大等优点，在