磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域，具有广阔的发展前景。但受技术水平限制，国内企业磷化铟产能不足，市场主要集中在外资企业中。
美国的磷化铟产品研究和应用时间早，美国国防部早在1989年就专门制定了关于磷化铟的化发展规划，目的是找到磷化铟单晶材料的可靠来源