二维黑磷晶体薄膜首次突破硅基异质外延生长时间：2020-05-14 15:56:21来源：中国科学院半导体研究院分享：黑磷是一种具有高载流子迁移率（1000~10000 cm2V-1s-1）、宽带可调直接带隙（0.3~1.5 eV）和晶体各向异性等优异特性的二维层状半导体材料，在新型信息集成电子和光电子器件领域具有不可替代的应用优势。尽管近年来关于黑磷物性与原型器件的研究受到业界极大的关注，并已取