半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化锌(ZnSe)等宽带半导体原料为主。
宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（而硅的禁带宽度为1.12eV），其中较为典型的和成熟的