三代半导体材料助功率半导体突破，氮化镓创新获奖，这两家上市公司将现重大投资机会

5月30日第二届全国创新争先奖表彰奖励大会当天在北京举行，三代半导体(氮化镓)创新团队等10个团队获得全国创新争先奖牌！这充分展示了国家对第三代半导体材料研发的重视，以及氮化镓在我国已经获得较大的突破。

先进半导体材料已上升至国家战略层面，2025年目标渗透率超过50%。底层材料与技术是半导体发展的基础科学，在20