理由一、都是炒第三代半导体材料 包括 氮化镓和碳化硅 金刚石


日前，美国陆军与莱斯大学签署了一项为期5年、耗资3000万美元，开展网络和先进材料研究的合作协议，其中就包括将金刚石材料作为改进射频电子技术中GaN的超宽带带隙替代品。
金刚石具有高电子迁移率、高热导率、和低介电常数等优异的电学性质。在半导体领域中，金钢石通过掺杂，可呈现n型导电和p型导电，性能远超GaAs，GaN，SiC等材料，