金刚石替代氮化镓成为第三半导体终极材料!
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“终极半导体”:美国开展金刚石替代氮化镓项目研究
日前,美国陆军与莱斯大学签署了一项为期5年、耗资3000万美元,开展网络和先进材料研究的合作协议,其中就包括将金刚石材料作为改进射频电子技术中GaN的超宽带带隙替代品。 金刚石具有高电子迁移率、高热导率、和低介电常数等优异的电学性质。在半导体领域中,金钢石通过掺杂,可呈现n型导电和p型导电,性能远超GaAs,GaN,SiC等材料,被业界誉为“终极半
日前,美国陆军与莱斯大学签署了一项为期5年、耗资3000万美元,开展网络和先进材料研究的合作协议,其中就包括将金刚石材料作为改进射频电子技术中GaN的超宽带带隙替代品。 金刚石具有高电子迁移率、高热导率、和低介电常数等优异的电学性质。在半导体领域中,金钢石通过掺杂,可呈现n型导电和p型导电,性能远超GaAs,GaN,SiC等材料,被业界誉为“终极半
