辉钼可望成为下一代半导体材料中国质量新闻网
2011-02-17 08:17:58

新一期英国《自然·纳米技术》杂志日前刊登报告说，单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。 与现在广泛使用的硅材料相比，辉钼具有两个主要优点：一是达到同等效用的体积更小。只有0.65纳米厚的辉钼材料，电子在其中能像在2纳米厚的硅材料中那样自如