据美国物理学家组织网11月23日(北京时间)报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地 将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅 晶体管相媲美。该研究结果发表在最新一期《自然》杂志上。


　　尽管硅拥有很多令人惊奇的电子特性，但这些特性已经快被利用到极限，科