光刻机主要部件进度分布
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最近各大平台基本被华为及中国光刻机的相关信息刷屏了,华为就不多说了,一笔概过:中国的民族企业和科技先锋。这篇帖子主要介绍一下光刻机及中国的研发进度。
一.DUV光刻机:
1.光源:深紫外线光
2.晶圆制程极限:7nm
EUV光刻机:
1.光源:极紫外线光
2.晶圆制程极限:暂无数据,目前最先进制程3nm,据说, ASML 在研1.5nm制程。
以上便是DUV和EUV光刻机最大的区别。
一.DUV光刻机:
1.光源:深紫外线光
2.晶圆制程极限:7nm
EUV光刻机:
1.光源:极紫外线光
2.晶圆制程极限:暂无数据,目前最先进制程3nm,据说, ASML 在研1.5nm制程。
以上便是DUV和EUV光刻机最大的区别。
