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这意味着在美国制裁高端光刻机的背景下，通过低端光刻机+多重光刻技术可以弯道实现7nm芯片

什么是多重曝光？



为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术，如LE­LE（li­t­ho-et­ch-li­t­ho-et­ch）、SA­DP（se­lf al­i­g­n­ed do­u­b­le pa­t­t­e­r­n­i­ng）