光刻过程是半导体制造中最重要的过程，光刻直接决定了芯片线宽与可靠性。光刻是指通过匀胶、曝光、显影等一系列工艺步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去而留下带有微图形结构的薄膜，完成将设计好的电路图形从光刻板上转移到晶圆片表面光刻胶上的工艺。一般光刻工艺要经历涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜等工序。其中光刻用电子气体（镭射气体）是用来产生光刻机光源的电子气体。据亿渡数据测算，我国电子特气市场规模超400亿