干法蚀刻是目前用于将光刻胶图案转移到IC器件中的底层半导体基板中的主要蚀刻方法。图案转移是通过去除不受光刻胶保护的衬底材料来完成的。干法蚀刻技术根据其蚀刻作用的机制分为三大类：物理蚀刻（也称为溅射）、化学蚀刻以及物理和化学组合蚀刻。
物理蚀刻或物理溅射是由于高能粒子轰击靶材而使原子从固体靶材中喷出的过程。物理溅射的基础是由入射轰击离子与靶材中原子之间的碰撞产生的动量交换。当目标被轰击时，入射离