据韩国媒体报道，三星近日与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从第10代V-NAND（V10）开始，将使用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。
此外，SK海力士也在开发用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来可能同样需要与长江存储达成专利授权协议。

业内人士认为，未来三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能需要继续借助长江存储的专利技