长江存储成功研发全球首款294层3D NAND闪存芯片！[图片]


中国半导体产业实现重大突破——长江存储成功研发全球首款294层3D NAND闪存芯片，基于完全自主知识产权的Xtacking 4.0技术，在国产设备上实现超90%良率，存储密度达20GB/mm²，读写速度超7000MB/s。该成果引发美国媒体震惊和国际产业震动，被外媒誉为“颠覆性创新”，标志着中国在高端存储领域实现自主突围。