2024年11月8日
据报道，近日，中国松山湖材料实验室的第三代半导体研究团队与西安电子科技大学及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2-6英寸AIN(氮化铝)单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTS(高电子迁移率晶体管)。得益于AIN单晶复合衬底的料优势，AIGaN缓冲层厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圆翘曲。这一进展标志着我国在新一代半导体技术的研发和应用方面迈出了坚实的