光通信产业的“心脏”首次实现大尺寸自主跳动，九峰山实验室依托国产设备突破外延生长工艺，将国产光芯片成本压缩30%-40%，彻底打破日本企业在磷化铟衬底领域的长年垄断。

磷化铟（InP）作为第二代III-V族化合物半导体的核心材料，凭借其卓越的电子迁移率、宽禁带特性和优异的耐辐射性能，成为光通信、激光雷达、量子计算等前沿领域的“基石”。然而长期以来，受限于大尺寸制备的技术瓶颈，全球磷化铟产业的主流