催化：铌酸锂材料因其卓越的光学性能，在光子芯片领域展现出巨大潜力。与传统电子处理器相比，集成铌酸锂的微波光子芯片速度提升达千倍，同时具备超宽处理带宽和高计算精度，且能耗更低。薄膜铌酸锂调制器的应用，已实现单通道速率超过200G，未来有望支持1.6T以上光模块，成为关键技术方案。随着AI算力、高速互联网和光量子通信等新兴领域对高速光子器件需求的增长，国产替代需求日益强烈。据QYResearch最新报