碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表，因其高禁带宽度、高击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速率等优异特性，正在新能源汽车、5G通信、智能电网、人工智能等领域引发一场技术变革。特别是近期英伟达计划在其新一代Rubin处理器中将CoWoS先进封装的中介层材料由硅替换为碳化硅，以期利用其卓越的散热性能（热导率是硅的2-3倍）和能够支持更高集成度的特性，解决高性能GPU，尤其是AI芯片的散热瓶颈