1. 衬底供应瓶颈：高质量、低缺陷的SiC衬底生长难度大、速度慢，是目前产业链最主要的瓶颈。能否稳定供应优质衬底是市场增长的关键。
2. 成本压力：尽管成本在下降，但SiC器件的价格目前仍显著高于硅基IGBT，需要持续降本以渗透到更多中端和经济型车型。
3. 技术挑战：包括衬底缺陷控制、沟槽型MO SFET 工艺的成熟度、模块封装技术等。
4. 竞争加剧：传统硅基IGBT也在不断进步（如微沟槽技