天科合达在碳化硅（SiC）衬底量产方面的最新进展，综合多维度信息整理而成：

 

️ 1. 8英寸SiC衬底量产与技术突破

小规模量产实现：2024年，天科合达完成8英寸导电型SiC衬底及外延片的小规模量产，衬底厚度优化至350μm，为高压器件（如车规级功率模块）降本提供核心支持。
关键技术指标全球领先：通过自主生长设备和工艺创新，攻克多型体缺陷、位错集群等行业难题，其8英寸外延片参数达国际先