#英伟达新一代封装技术将带动碳化硅衬底需求飙升
1、据报道，英伟达将计划在新一代GPU芯片的先进封装环节采用12英寸碳化硅衬底替代传统硅中介层，最晚将在2027年导入。
2、SiC的热导率比硅高出2-3倍，同时具备更好的耐化学性，将大幅优化CoWoS封装尺寸，并降低封装成本，是中介层的理想材料。按8X光罩尺寸中介层测算，全球CoWoS封装的中介层材料将从2024年的9万片飙升至2026年的27万片