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一、技术突破:从被动追赶至主动布局

2024年9月底,中芯国际启动对宇量昇深紫外光刻机的测试,成为中国半导体产业战略转向的关键信号。该设备采用与荷兰阿斯麦同源的浸没式技术,通过整合长春光机所的精密光学镜头、科益虹源的深紫外光源、华卓精科的双工件台等国产核心部件,实现28纳米制程关键设备的技术闭环,标志着中国在成熟制程设备领域打破技术壁垒。

当前,国产半导体设备国产化率已从202