一，第三代半导体的发展现状
从目前第3代半导体材料和器件的研究来看，SiC和GaN较为成熟，而ZnO、A1N和金刚石等第3代半导体材料的研究还处于起步阶段。

1.SiC 的发展现状：
与传统硅(Si)材料相比，依据不同的性能，制成的SiC器件广泛应用于各种不同领域。如凭借其良好的导热性，制成SiC器件可以被用在高温工作环境中，如石油和地热钻井勘探、汽车发动机、航空、航天探测、核能开发、卫星等应用