1、西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队近日在半导体材料领域取得颠覆性突破。研究团队创新提出的"离子注入诱导成核"技术，成功将芯片层间"岛状"界面转变为原子级平整薄膜，使界面热阻降低达70%，相关成果已连续发表于《自然·通讯》和《科学进展》两大顶级学术期刊。
本次研究团队首创离子注入诱导成核（I³N）技术，将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长。实验显示，新结构界面热阻仅为传统