前言：全球存储产业景气度高增，晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。[淘股吧]
催化：

1、英伟达发布基于BlueField-4DPU，该架构在RubinNVL72机架中，通过4颗BF-4DPU管理150TB内存池，为每颗GPU额外分配16TB的NAND专用上下文空间，单机柜NAND需求激增5倍。
2、美股存储巨头 SNDK 和美光都大涨且历史新高。
解析：英伟达推出的新方案中，NAND不再仅仅是保存数据的硬盘，而是直接参与推理过程估值提升，并且单机柜NAND需求激增5倍，使得原本就很紧缺的存储算力更叫紧俏了。

一. HBM概览高带宽内存（HBM）是一种基于3D堆叠工艺的高性能 DRAM ，专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。
1.1 技术原理
（1）3D堆叠：将多个DRAM Die（4-16层）垂直堆叠，并通过硅通孔（TSV）、微凸块（Microbump）技术实现互联。
（2）2.5D封装：通过硅中介层连接HBM堆栈与GPU并紧密封装，形成一体化模块。

1.2 主要特点
（1）优点：超高带宽、较低功耗、小体积、适合高密度部署。
（2）挑战：技术门槛高（TSV、微凸点、2.5D封装）、制造成本高（工艺复杂、良率低）、散热要求高（高集成度）。
1.3 供应格局
HBM自2013年推出以来，目前已迭代至HBM4，全球市场呈三强垄断格局，SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。
国内方面处于从0到1突破阶段，包括、长江、昇腾（自研HBM HiZQ 2.0）。

二. HBM制备核心环节2.1 硅通孔（TSV）制备
（1）目的：在晶圆内部钻孔并填充导电材料，实现垂直互连；并在孔壁沉积绝缘层，提供电气隔离。
（2）工艺步骤：深硅刻蚀（DRIE）、绝缘层沉积、阻挡层/种子层沉积、电镀填充、晶圆减薄、表面平坦化。
（3）国内配套：中微公司（深硅刻蚀设备）、北方华创（TSV全流程）、微导纳米（ALD薄膜沉积设备）、华海清科（CMP/减薄设备）、雅克科技（介电层前驱体）。

2.2 微凸块制备
（1）目的：在晶圆上电镀形成金属凸块，替代传统引线键合。
（2）工艺步骤：凸点下金属化（UBM）、光刻显影、凸块电镀、回流成型。
（3）国内配套：芯源微（涂胶显影设备）。

2.3 堆叠键合
（1）目的：将多个DRAM Die精准对齐并键合，分为热压键合（TCB）、混合键合（Cu-Cu），混合键合技术可实现更高互联密度。
（2）工艺步骤：表面活化、临时键合与解键合、永久键合、堆叠固化。
（3）国内配套：拓荆科技（混合键合设备）、鼎龙股份（临时键合胶）。

2.4 2.5D封装
（1）目的：使用硅中介层连接HBM堆栈和GPU，并封装到基板；目前主要采用台积电CoWoS技术。
（2）工艺步骤：硅中介层制备、芯片倒装键合、底部填充、封装成型与测试。
（3）国内配套：华海诚科（环氧塑封料）、联瑞新材（球形硅微粉）。