根据功能主要分为两种：[淘股吧]
易失性内存、非易失性内存。

1.易失性内存
产品：
DRAM ：DDR5：目前 PC 和服务器主流，带宽较 DDR4 提升 2 倍。LPDDR5X：手机顶级内存，功耗控制极佳。
HBM（高带宽内存）：英伟达 B200 配 HBM3e， Rubin 架构配 HBM4。

DRAM和HBM关系与区别：

问题：为什么AI大数据时代不能用普通DDR系列来代替HBM？
两者主板位置：
结构完全不一样DDR5芯片在主板上远距离走线针脚少、速度有限→ 像乡间小路
HBM多层堆叠（4/8/12 层）用 TSV 硅通孔垂直连接直接贴在 GPU 旁边，用 2.5D 硅中介层针脚数量暴增→ 像100 车道超级高速
堆数量也不行：
延迟太高AI 对延迟极其敏感，延迟一高，算力直接废掉
干扰太大线路长、信号乱，跑不了高频
功耗爆炸HBM 同带宽下功耗只有 DDR5 的 1/3～1/4

最关键，带宽不同。
（1）容量 = 仓库大小模型参数有多大（7B、13B、70B、175B…）普通 DDR5 容量很容易做大：128GB、256GB、512GB 都行（2）带宽 = 公路宽度每秒能把多少数据搬进 GPU 里计算AI 训练最吃这个带宽不够 → GPU 空转、算力浪费、训练极慢。



2.非易失性存储
NAND Flash，NAND 不再单纯用 nm 数，而是用 ** 堆叠层数（Layer）** 来衡量先进程度。
产品：
3D NAND SSD：消费级：PCIe 4.0/5.0 固态硬盘（如三星 990 Pro），读写速度高达 7000MB/s 以上。企业级：U.2/U.3 形态，专为服务器设计，寿命和稳定性极强。

移动存储：UFS 4.0：目前安卓旗舰手机标配，顺序读取超 2800MB/s。eMMC：主要用于中低端手机和嵌入式设备。


国产就看存储和长江存储。

国际和国内对比：