【三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品】《科创板日报》16日讯,三星电子计划于今年第三季度量产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司近期已订购原材料和组件。[淘股吧]

据悉,三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MO SFET 。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。 (ZDnet)

需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张

碳化硅(SiC)器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势,可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。当前功率碳化硅器件仍主要应用于新能源市场,包括新能源车、光伏及储能逆变器以及充电桩风电等高压渗透率较高的领域。汽车领域中超90%的SiC用于主牵引逆变器(main converter),形态以全SiC功率模块为主。电源方面,600V SiC MosFET 用于AC/DC前端可带来高效率与高功率密度。

金元证券研报显示,2024年全球碳化硅器件(二极管、晶体管及混合模块内的器件,及半绝缘型碳化硅基射频器件)市场规模约43.6亿美元,至2030年有望达229.45亿美元,2025-2030年复合增长率约32%。五矿证券认为,需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张,预计2027年碳化硅衬底供需紧平衡,甚至存在出现产能供应紧张的可能性;2030年,全球1676万片的衬底需求量,较2025年的供给,存在约1200万片的产能缺口。



市场格局上,2024年,意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆在碳化硅器件市占率合计市占率高达83%。国内公司在8英寸、12英寸碳化硅衬底研发领先。2023年天岳先进成功研制8英寸碳化硅衬底,并于2024年天岳先进已成功研制12英寸碳化硅衬底,在半绝缘型、导电N型及导电P型产品上均有布局。

1月26日有大号20%涨停,大智慧异动解析:

天岳先进:通过台积电验证(未验证)+碳化硅衬底+间接供货英伟达

天岳先进:当前公司已与全球前十大功率半导体器件制造商(按2024年的收入计)中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的客户英飞凌、安森美已成功进入英伟达等行业巨头的供应链,成为AI算力基础设施的重要组成部分。


$天岳先进(sh688234)$
$斯迪克(sz300806)$
$沃特股份(sz002886)$
$肯特股份(sz301591)$
$同宇新材(sz301630)$

(风险提示:所有的逻辑挖掘,仅代表个人见解或个人买卖记录,不代表市场看法,不要做为自己买卖依据,风险须自控自负自担!)

(作者利益披路:本逻辑分析,不作为证券推荐或投资建议,截至发文时,作者或持有部分相关标的,下一个交易日内可能择机卖出。但个人持股很小基本不超过该股当天交易量百分之零点几、个人买卖对个股交易影响非常小。)