【三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品】《科创板日报》16日讯，三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。

据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MO SFET 。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。 (ZDnet)

需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张

碳化硅（SiC）器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势