磷化铟和薄膜铌酸锂
前者代表的是当下，后者代表的是当下和未来，
两者不是替代关系，800G/1.6T刚需磷化铟，薄膜铌酸锂放量预期在3.2t和cpo，当然1.6t也开始应用！

一技术演化与定位

• 磷化铟（InP）：光芯片衬底（发光/探测），800G/1.6T主流，速率天花板~1.6T，扩产慢、缺口大。

• 薄膜铌酸锂（TFLN）：高速调制器材料（高速开关），1.6T/3.2T/CPO最优解