【电报解读】玄铁9系列实现突破,RISC-V加速规模化商业落地!
展开
【阿里达摩院玄铁9系列处理器正式适配安卓 RISC-V加速规模化商业落地】财联社5月25日电,阿里达摩院玄铁今日官微消息,5月25日,玄铁团队宣布旗下9系列高性能处理器已完成对Android 16操作系统的适配,并面向战略客户定向发布玄铁安卓平台。作为全球首款成功运行最新版安卓系统的RVA23兼容RISC-V处理器,玄铁9系列实现突破,标志着RISC-V在安卓生态中已从功能移植迈入规范兼容与产品化交付的新阶段,为规模化商业落地奠定技术基础。目前,玄铁安卓平台已面向首批玄铁战略客户开放,加速探索RISC-V智能终端新场景,显著缩短从芯片原型到产品上市的周期。另外,Android 17 “Gemini Intelligence” 智能体推动系统级AI融合,玄铁最新高性能旗舰处理器系列搭载Vector+Matrix AI加速引擎,适配端侧AI推理需求,已实现对千亿参数大模型的原生支持,玄铁团队将持续激发RISC-V架构在AI领域的灵活扩展优势。
一、RISC-V在全球芯片市场的份额已突破25%
近年来,建立独立于X86和ARM之外的第三套生态系统已成为业界共识,其中RISC-V因其开源、免费、可扩展等特性,在物联网和边缘计算等领域展现了巨大潜力。
RISC-V作为一种能够持续不断创新的新架构,与现有的传统设计相比,其设计的内核通常可以获得更好的性能,同时又能保持更小的芯片尺寸。此外,凭借其可扩展性,对矢量和安全功能支持,RISC-V已经被行业证明非常适合支持当前蓬勃发展的AI加速器设计。与X86和ARM架构相比,RISC-V架构具有体积小、支持模块化与可扩展性、指令数目少、全面开源等特点。RISC-V作为极具潜力的开源指令集架构,以其灵活性、可定制性与开放性,在IOT、边缘计算、汽车电子及教育等领域广泛应用。
2026年以来,国产RISC-VCPU产业链在数据中心取得一系列突破。阿里巴巴达摩院的旗舰CPU玄铁C950在Specint2006基准测试中突破70分,刷新全球RISC-V性能纪录;中国科学院计算技术研究所与北京开源芯片研究院联合打造“香山”开源高性能RISC-V通用计算系统解决方案,其“昆明湖”处理器核的 SPEC CPU2006实测分值达16.5分/GHz,搭配全球首个数据中心开源片上互连网络“温榆河”,为先进计算生态提供开源共性底座;灵睿智芯推出全球首款动态4线程服务器级RISC-VCPU内核P100,SPECCPU2006单核性能超过20/GHz;进迭时空第三代高性能RISC-V处理器核X200完成研发,面向云端Agent与旗舰级终端Agent应用进行针对性优化。
市场份额上,3月24日,在2026玄铁RISC-V大会上,中国工程院院士倪光南在会上表示,截至2025年底,RISC-V在全球芯片市场的份额已突破25%,x86和Arm的双寡头格局正在松解。
二、相关上市公司:东软载波、芯原股份、振华风光
东软载波:公司和阿里的合作重点是阿里达摩院授权RISC-V架构CPU,公司研发微控制器芯片,共同推进RISC-V生态建设。全资子公司上海东软载波微电子有限公司自2019年开展基于RISC-V内核的芯片产品的研发工作,芯片已经量产并已形成收入。
芯原股份:截至2025末,芯原的半导体IP已经获得RISC-V主要芯片供应商的14款芯片所采用;此外,芯原已为25家客户的25款RISC-V芯片提供了一站式芯片定制服务,上述项目正陆续进入量产。同时,公司还基于RISC-V核推出了包含数据中心视频转码、可穿戴健康监测、物联网无线通信、带硬件安全支持的智能传感SoC等多个芯片设计平台,以及基于RISC-V核的硬件开发板,上述解决方案正逐步获得客户采用,将有助于推动RISC-V技术的商业化进程。
振华风光:在互动平台表示,RISC-VMCU领域,公司从2022年6月开始布局RISC-V架构MCU,截止2025年11月已完成2款MCU产品的研发,均通过用户端的软、硬件适配验证,已具备量产能力,订单稳步增长。
$东软载波(sz300183)$
$振华风光(sh688439)$
$芯原股份(sh688521)$
一、RISC-V在全球芯片市场的份额已突破25%
近年来,建立独立于X86和ARM之外的第三套生态系统已成为业界共识,其中RISC-V因其开源、免费、可扩展等特性,在物联网和边缘计算等领域展现了巨大潜力。
RISC-V作为一种能够持续不断创新的新架构,与现有的传统设计相比,其设计的内核通常可以获得更好的性能,同时又能保持更小的芯片尺寸。此外,凭借其可扩展性,对矢量和安全功能支持,RISC-V已经被行业证明非常适合支持当前蓬勃发展的AI加速器设计。与X86和ARM架构相比,RISC-V架构具有体积小、支持模块化与可扩展性、指令数目少、全面开源等特点。RISC-V作为极具潜力的开源指令集架构,以其灵活性、可定制性与开放性,在IOT、边缘计算、汽车电子及教育等领域广泛应用。
2026年以来,国产RISC-VCPU产业链在数据中心取得一系列突破。阿里巴巴达摩院的旗舰CPU玄铁C950在Specint2006基准测试中突破70分,刷新全球RISC-V性能纪录;中国科学院计算技术研究所与北京开源芯片研究院联合打造“香山”开源高性能RISC-V通用计算系统解决方案,其“昆明湖”处理器核的 SPEC CPU2006实测分值达16.5分/GHz,搭配全球首个数据中心开源片上互连网络“温榆河”,为先进计算生态提供开源共性底座;灵睿智芯推出全球首款动态4线程服务器级RISC-VCPU内核P100,SPECCPU2006单核性能超过20/GHz;进迭时空第三代高性能RISC-V处理器核X200完成研发,面向云端Agent与旗舰级终端Agent应用进行针对性优化。
市场份额上,3月24日,在2026玄铁RISC-V大会上,中国工程院院士倪光南在会上表示,截至2025年底,RISC-V在全球芯片市场的份额已突破25%,x86和Arm的双寡头格局正在松解。
二、相关上市公司:东软载波、芯原股份、振华风光
东软载波:公司和阿里的合作重点是阿里达摩院授权RISC-V架构CPU,公司研发微控制器芯片,共同推进RISC-V生态建设。全资子公司上海东软载波微电子有限公司自2019年开展基于RISC-V内核的芯片产品的研发工作,芯片已经量产并已形成收入。
芯原股份:截至2025末,芯原的半导体IP已经获得RISC-V主要芯片供应商的14款芯片所采用;此外,芯原已为25家客户的25款RISC-V芯片提供了一站式芯片定制服务,上述项目正陆续进入量产。同时,公司还基于RISC-V核推出了包含数据中心视频转码、可穿戴健康监测、物联网无线通信、带硬件安全支持的智能传感SoC等多个芯片设计平台,以及基于RISC-V核的硬件开发板,上述解决方案正逐步获得客户采用,将有助于推动RISC-V技术的商业化进程。
振华风光:在互动平台表示,RISC-VMCU领域,公司从2022年6月开始布局RISC-V架构MCU,截止2025年11月已完成2款MCU产品的研发,均通过用户端的软、硬件适配验证,已具备量产能力,订单稳步增长。
$东软载波(sz300183)$
$振华风光(sh688439)$
$芯原股份(sh688521)$
主题股票:
主题概念:
声明:遵守相关法律法规,所发内容承担法律责任,倡导理性交流,远离非法证券活动,共建和谐交流环境!


具体应用产品如下:
1. 电子级 PTFE 树脂(基材源头)
这是昊华科技最核心的 AI 资产。英伟达 M10 及更高端架构的 AI 服务器对信号传输要求极高,PCB 必须使用 超低损耗(Ultra Low Loss) 材料。
作用:作为高频覆铜板(CCL)的核心填充或涂覆材料。
独特性:国内极少数能将 PTFE 纯度做到 99.999% 且介电损耗(Df)控制在 0.0005 以下的供应商,直接对标杜邦和大金。
2. 电子氟化液 / 浸没式冷却液
针对 GB200 及未来更高功率机架的液冷需求,昊华科技研发的氢氟醚等电子氟化液已进入验证与应用阶段。
作用:用于浸没式液冷服务器,直接接触芯片进行换热。
地位:在 3M 宣布退出全氟烷基物质(PFAS)市场后,昊华是国内补位能力最强的企业之一。
3. 电子特种气体
AI 芯片(如 GPU、HBM 内存)在制造环节离不开高纯度特气。
具体产品:包括三氟化氮(NF3)、六氟化钨(WF6)、四氟化碳(CF4)等。
应用:主要用于半导体晶圆制造中的刻蚀、清洗和薄膜沉积工艺。
4. 高端氟橡胶与密封材料
作用:用于液冷系统的管路连接、泵体密封,具备极强的耐腐蚀性和抗老化能力,防止冷却液泄漏。
$昊华科技(sh600378)$
昊华科技的电子级PTFE树脂正是英伟达M9、M10新材料方案的核心增量环节之一。 M9、M10是英伟达2026年启动测试的下一代超低损耗覆铜板(CCL)材料,主要服务于Rubin/Rubin Ultra及Feynman平台的正交背板(Orthogonal Backplane)和交换刀片主板(Switch Blade Motherboard)。
M9、M10方案核心升级(与PTFE直接相关)
M9 vs M10:M9以碳氢树脂为主(已用于Rubin平台),M10进一步引入PTFE复合体系(PTFE树脂+填料复合),实现更极致的低介电损耗(Df更低)、低Dk、更优信号完整性,支撑更高信号速率(112Gbps+甚至448G SerDes)、更高层数PCB(40-78层+)和更高算力密度。
为什么需要PTFE:AI服务器正交架构下,背板/主板信号传输距离长、速率极高,传统材料损耗过大。PTFE的Dk~2.1、Df可控至0.0005以下,是实现Ultra Low Loss/Extreme Low Loss的关键树脂/填充材料(常以混压或复合形式使用)。
时间线:2026年Q1送样测试,顺利则2026年下半年量产。供应链从台光电独家向多元(含中国厂商)开放,PTFE需求大幅增长,是M9、M10迭代中“最大增量环节”。
昊华科技在M9、M10中的定位
昊华(中昊晨光)是国内PTFE产能领先企业(4.8万吨/年级),高端电子级产品(高纯度、特定分子量/分散树脂)已用于高频PCB/线缆。市场反馈显示,其电子级PTFE在M10相关供应链中有验证/供货潜力,是国内少数能满足英伟达高频极端要求的PTFE源头供应商之一(纯度、Df控制、对标杜邦/大金)。
英伟达M9、M10新方案正是从“拼芯片”转向“拼互联/材料”的关键,PTFE复合是材料升级的核心驱动力。昊华的电子级PTFE作为基材源头,直接受益于这一波AI服务器PCB价值量提升(单机背板价值显著放大)。
叠加电子氟化液 / 浸没式冷却液!半导体高纯度特气!及液冷系统的高端氟橡胶与密封材料等。
$昊华科技(sh600378)$
一、 英伟达M9/M10的“材料革命”:PTFE为什么是核心增量?
随着AI服务器(如英伟达下一代架构平台)的算力密度暴增,信号传输速率向单通道 224Gbps 乃至更高演进。PCB和覆铜板(CCL)的传统树脂体系已经逼近物理极限,必须进行**超低介电损耗(Df)和低介电常数(Dk)**的全面升级。
在松下(Panasonic)主导的“马(Megtron)”系列材料演进中,树脂基材的变迁路线非常明确:
• M8 / M8S:以 PPO/PPE(聚苯醚) 树脂为主,碳氢树脂为辅(比例约为 2:1)。
• M9:正式进入下一代高速带宽,升级为以 碳氢树脂 为主、PPO为辅(掺杂少许BCB树脂),用以实现更低的Df值。
• M10:目前正处于英伟达的供应链测试阶段。为了在正交背板、交换刀片主板等高频低损耗的核心部件上实现极致性能,引入 PTFE(聚四氟乙烯)复合体系 成为当前测试路线中最关键的突破口。
在所有已知的高分子材料中,PTFE 具有无与伦比的电绝缘性和极低的介电损耗(Df \le 0.0005,Dk \approx 2.1)。它被视为M10及未来超高速网络硬件实现“拼传输”的核心基材,也是这一轮材料迭代中弹性最大、壁垒最高的新增量。
在PTFE这一高壁垒赛道中,昊华科技(主要通过子公司中昊晨光)之所以被市场高度关注,主要原因在于其实现了高端电子级材料的国产化突围:
1. 极致的参数要求与纯度控制
普通工业级PTFE无法用于AI级别的覆铜板。电子级PTFE要求达到 99.999% 的超高纯度,同时对树脂的分散性控制、流平性以及与铜箔的界面结合力有极高要求。中昊晨光的技术储备正好卡在这一节点上,能够满足高频低损耗的严苛指标。
2. 稀缺的国产化源头供应商
长期以来,全球高端电子级PTFE树脂几乎被海外三巨头(美国科慕、日本大金、比利时索尔维)垄断,合计市占率超过90%。
• 昊华科技(中昊晨光) 是目前国内极少数乃至唯一有能力提供超高纯电子级PTFE树脂源头原料并向下游覆铜板/PCB产业链送样、验证的化工国家队。
三、 投资与产业链维度的理性审视
虽然逻辑十分顺畅,但在评估其商业弹性时,有以下几点需要理性区分:
• 测试阶段 vs. 大规模放量:目前英伟达的M10方案仍处于测试和供应链认证阶段。包含“碳氢+PTFE”、“碳氢+BCB”在内的多条工艺路线仍在博弈与优化中。昊华科技的产品表现直接决定了其能否在最终的量产版本中拿到核心份额。
• 供应链的层级关系:昊华科技提供的是最上游的树脂原材料,其直接客户通常是台系、日系或国内头部的覆铜板(CCL)大厂(如松下、生益科技等),再由这些大厂制成高阶覆铜板后供应给PCB板厂。
这是昊华科技最核心的 AI 资产。英伟达 M10 及更高端架构的 AI 服务器对信号传输要求极高,PCB 必须使用 超低损耗(Ultra Low Loss) 材料。
作用:作为高频覆铜板(CCL)的核心填充或涂覆材料。
独特性:国内极少数能将 PTFE 纯度做到 99.999% 且介电损耗(Df)控制在 0.0005 以下的供应商,直接对标杜邦和大金。
温州宏丰( 300283 )的PCB钻针(硬质合金棒材上游原料)和PCB铜箔两者均直接受益于英伟达新方案(M10/Rubin等)驱动的AI服务器PCB升级!
1. 硬质合金棒材(钻针关键基础材料)——直接、弹性更强
• 作用:公司生产的纳米晶/超细晶硬质合金棒材(尤其是0.25mm以下微钻系列)是制造高端PCB钻针的核心原料。AI服务器PCB层数暴增(40-78层+)、板厚增加、PTFE/M9-M10等硬脆材料,导致钻针消耗量5-10倍+、高长径比/涂层针需求井喷。 
• 受益逻辑:下游钻针厂商(鼎泰高科、中钨高新等)扩产直接拉动棒材出货。公司强调棒材是“制造PCB钻头、钻针的关键基础材料”,并有高端纳米晶微钻技术。棒材供给相对刚性(全球少数能大规模稳定供应的厂商),议价权较强,价格随需求上涨。 
• 当前进展:2025年硬质合金板块营收/利润已显著增长,2026年AI PCB景气下继续放量。属于“耗材上游”的高弹性环节。
2. PCB铜箔——中长期、规模化放量
• 作用:PCB铜箔是覆铜板(CCL)和印制电路板的核心原材料之一。高频高速AI PCB(M10等Ultra Low Loss)对铜箔的厚度一致性、粗糙度(HVLP/Roughness低)、信号传输性能要求更高。
公司布局:5万吨铜箔基地中规划2万吨PCB铜箔产线(锂电铜箔3万吨已部分投产)。2026年5月最新互动明确:即将投产PCB铜箔产线,产品可用于CCL和PCB,适用于高频高速电路(AI服务器相关)。
受益逻辑:AI驱动下全球PCB尤其是高频高速板需求增长,电子电路铜箔市场同步扩张。公司铜箔业务正从爬坡转向放量,叠加半导体蚀刻引线框架等,构成“铜箔+半导体”第二增长曲线。
$温州宏丰(sz300283)$