【为什么磷化铟不可替代？】

磷化铟（InP）化合物半导体凭借直接带隙发光效率（为硅的100倍）、超高电子迁移率（为硅的3.6倍）、天然匹配光纤最低损耗窗口（1310/1550nm）三大独占物理特性，成为800G/1.6T/3.2T高速光模块中光芯片衬底唯一可行材料——硅不发光，砷化镓无法支撑长距高速传输，InP是物理层面的唯一解。

【供需极度紧张】

Yole预测2026年全球InP衬底需求折