碳化硅（SiC）衬底是第三代半导体的核心基材，在器件成本中占比约47%，技术壁垒
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一、基本信息
北京天科合达半导体股份有限公司（天科合达）
国内碳化硅（SiC）衬底龙头，全球第二，导电型市占率国内第一。
成立：2006年9月，中科院物理所团队创业。
定位：国家级高新、专精特新“小巨人”，中国首家SiC衬底全产业化企业。
二、核心业务与产品
主营：碳化硅单晶衬底+外延片+单晶生长炉，全产业链覆盖。
产品：
4/6英寸半绝缘型：射频、5G、雷达。
4/6/8英寸导电型：新能源汽车、
北京天科合达半导体股份有限公司（天科合达）
国内碳化硅（SiC）衬底龙头，全球第二，导电型市占率国内第一。
成立：2006年9月，中科院物理所团队创业。
定位：国家级高新、专精特新“小巨人”，中国首家SiC衬底全产业化企业。
二、核心业务与产品
主营：碳化硅单晶衬底+外延片+单晶生长炉，全产业链覆盖。
产品：
4/6英寸半绝缘型：射频、5G、雷达。
4/6/8英寸导电型：新能源汽车、
