# 三星、SK海力士10万亿韩元级存储扩产：设备、材料、新技术全拆解
本次千亿级投资**全部倾斜AI高端存储**，核心产线为1c先进 DRAM 、超高堆叠3D NAND、HBM4/HBM4E/HBM5堆叠+先进封装，普通DDR、低端NAND占比极低；HBM工艺耗材、设备用量是传统内存2–4倍。

## 一、核心采购生产设备（前道晶圆+TSV堆叠+封装测试）
### （一）光刻设备（存储先进制程刚需