A股神经动力学/忆阻器存算一体芯片完整公司名单

神经动力学芯片核心底层为忆阻器（RRAM阻变/PCM相变）+存算一体+类脑模拟计算，对标北大全球首款忆阻器神经动力学芯片，按产业链分为自研芯片设计、参股忆阻器初创、上游材料、代工设备、下游算力/配套五大类，标注业务关联逻辑。

一、中游·自研忆阻器/存算一体芯片（直接核心标的，技术路线匹配）

1. 紫光国微 002049
国内RRAM阻变忆阻器龙头，40nm阻变存储成熟工艺、完整IP库，模拟存算阵列研发落地，与北大RRAM神经芯片技术路线同源。

2. 恒烁股份 688416
自研NOR+RRAM存算一体芯片，模拟矩阵并行计算架构，面向边缘类脑、低功耗AI，适配神经动力学算力场景。

3. 兆易创新 603986
与Rambus合资布局嵌入式RRAM，数百项忆阻器专利，NOR+阻变存储融合路线，嵌入式类脑芯片储备深厚。

4. 罗普特 688619
联合倪光南团队开发忆阻器存算一体芯片，百万级模拟并行乘加，能效较传统GPU提升百倍，对标毫秒级神经计算。

5. 纳思达 002180
国内少数量产PCRAM相变存储器企业，联合中科院开发相变存储器件，适配PCM路线神经动力学芯片。

6. 复旦微电 688385
Flash+FPGA存算一体架构，布局端侧低功耗类脑推理芯片。

7. 东芯股份 688110
物联网存储产品线包含PCRAM相变存储研发。

8. 维信诺 002387
完成嵌入式RRAM显示驱动芯片研发，布局小型低功耗忆阻器器件。

二、参股忆阻器核心初创（间接绑定忆阻器技术）

1. 盛视科技 002990
战略参股亿铸科技（国内头部ReRAM存算一体企业，忆阻器大算力芯片已完成POC流片）。

2. 古鳌科技 300551
曾控股新存科技（3D PCM相变存储芯片研发，相变忆阻器核心厂商，现大幅减持）。

3. 天山电子 301379
产业基金参股新存科技，布局3D PCM相变存储全产业链、PCM主控芯片。

三、上游·忆阻器专用核心材料（PCM/RRAM制造刚需）

1. 相变介质GST（锗锑碲，PCM神经芯片核心）

• 南大光电 300346 ：MO源龙头，GST相变薄膜材料核心供应商。

2. 高纯靶材（RRAM晶圆镀膜）

• 江丰电子 300666 ：7N高纯金属靶材，批量供货40nm忆阻器产线PVD镀膜。

3. 光电融合基底（光电忆阻器）

• 天通股份 600330 ：大尺寸铌酸锂晶片龙头，光电存算一体芯片基底。

• 福晶科技 002222 ：高纯铌酸锂晶体，忆阻器光耦合配套材料。

• 光库科技 300620 ：薄膜铌酸锂调制器，光电类脑集成配套。

4. 硅片衬底

• 沪硅产业 688126 ：12英寸半导体硅片，忆阻器晶圆制造基础材料。

四、代工与半导体设备（忆阻器流片、制造设备）

1. 中芯国际 688981
国内唯一成熟40nm HR-RRAM/PCM特色代工产线，北大、科研院所忆阻器芯片主要流片厂商。

2. 华虹公司 688347
特色工艺代工，承接多家存算一体初创企业忆阻器流片订单。

3. 北方华创 002371
薄膜沉积、刻蚀设备，忆阻器多层薄膜制造核心设备。

五、配套服务+下游算力/应用

1. 金百泽 301191
为高校、科研院所提供忆阻器芯片设计、PCB、试制一站式研发服务。

2. 中科曙光 603019
布局存算一体智算服务器，承接神经动力学芯片AI仿真、工业建模落地场景。

3. 创新医疗、翔宇医疗
下游脑机接口设备，神经动力学芯片解决脑机实时低延迟算力需求。

风险提示

1. 北大本次神经动力学芯片尚属实验室科研成果，距离商用、产业链大规模放量周期较长；

2. 多数公司仅为技术储备、材料配套、参股投资，未直接供货本次北大项目，题材炒作属性较强；

3. 部分标的曾发布澄清公告，需区分纯概念标的与具备实质忆阻器业务布局企业。