9月20日，长鑫存储宣布第五代 DRAM 技术平台量产，并展出基于该平台的LPDDR5X新品。[淘股吧]

🔬 制造平台升级

G5是长鑫第五代制造技术平台。LPDDR5X是低功耗内存产品类型，公司在2025年就已披露部分产品量产。

📌 参数亮点

• 11.95纳米：有源区半间距，反映阵列排布有多密。

• 45∶1：电容深度约为宽度的45倍。电容用电荷记录信息，细长结构减少平面空间占用。

• 6762纳米：核心功能区高度，相当于6.762微米，描述内部功能结构。

• 产出至少提高50%：相对第四代、统一按8Gb颗粒折算，一片晶圆可提供更多颗粒。

四重曝光用于做出更精细的结构；高介电常数金属栅（HKMG）通过改进栅极材料帮助减少漏电。

📱 新品进入规模量产

两款产品分别采用496焊球和245焊球封装，适配方向包括中高端手机和便携式消费电子。