2026 年 1 月 13 日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队在芯片散热与材料集成领域取得重大突破，开发出 “离子注入诱导成核” 技术，解决了困扰业界近 20 年的第三代半导体氮化镓芯片散热与性能瓶颈问题，相关成果发表于《自然・通讯》与《科学・进展》。[淘股吧]

该突破不仅在半导体材料领域具有里程碑意义，也为我国在芯片技术领域实现自主可控提供了重要支撑，有望推动相关产业的升级和发展。

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