如何看本轮存储设备空间弹性？
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如何看本轮存储设备空间弹性？
1.存储行业供需与价格趋势
存储价格上涨趋势：受AI需求旺盛及海外大厂缩减传统产能腾挪给AI需求影响，当前存储价格处于上涨通道，预计涨价趋势将至少持续至2026年中，2026-2027年存储端供给将非常紧俏。
2.NAND存储市场分析
全球NAND产能与减产情况：全球NAND当前产能约140万片，较2024年减产15%-20%，减产量级约20万片。
NAND需求结构与增长驱动：
现有产能中，企业级SSD需求占比40%-50%，对应60-70万片产能。
AI驱动企业级SSD需求高增长：未来几年企业级SSD需求复合增速预计为25%-30%，三四年翻一倍；现有60-70万片基础上，未来需求将翻倍至120-140万片。
明后年NAND供给侧释放较少，价格将保持坚挺，存储厂商将追加资本开支扩产。
长江存储（长存）产能与市占率：
长存现有产能约15万片，占全球NAND产能（140万片）的约10%。
细分领域市占率：手机端嵌入式产品市占率约20%，消费级PC SSD市占率不到10%，企业级SSD市占率不到5%。
市占率提升路径：传统领域（手机、消费级SSD）市占率提升+企业级SSD高增长，中长期市占率目标向中国大陆全球市场需求占比（20%-30%）靠拢，现有产能需翻倍，中长期规划扩产至30万片左右。
3. DRAM 存储市场分析
全球DRAM产能与需求结构：全球DRAM产能约200万片，服务器需求占比约30%，其中AI服务器需求占15%-20%；未来核心增长驱动为AI，尤其是HBM品类。
存储产能与市占率：
现有产能占全球DRAM比例不到10%，产品以传统DDR为主。
细分领域市占率：手机端DDR市占率约20%，PC端市占率不到10%，HBM产品处于0-1突破阶段。
成长路径：传统消费级市场（如PC）市占率从不到10%提升至20%-30%+HBM产品突破，中长期市占率目标向中国大陆全球市场需求占比（20%以上）靠拢，现有产能需翻倍。
4.国内存储厂商技术追赶与突破
长江存储技术进展：
长存与海外技术差距因2022年出口管制放慢，但当前差距已明显缩小；2026年有望量产300层NAND产品，届时与海外（布局400层）仅差一个代际，未来1-2年将进入加速追赶阶段，有望与海外同代际竞争。
存储技术进展：
传统DDR工艺为16纳米级D4，与海外差2-3个代际；HBM处于HBM3阶段，海外2026年将进入HBM4/HBM4E开发，差2个代际。
2026年关键节点：若HBM实现0-1突破，将成为未来收入增长核心驱动力，有望带来资本开支超预期。
3D DRAM技术趋势：3D DRAM对光刻机依赖大幅降低，对薄膜沉积、刻蚀设备需求大幅提升；海外预计2028-2029年量产，国内厂商有望借此弯道超车。
5.存储设备行业弹性分析
中国市场国产化机会
国产化率提升：2025年Q3中国半导体设备国产化率约23%，2026年预计提升至29%（较2025年提升6个百分点）；若剔除光刻机（占设备成本30%），非光刻设备国产化率预计接近40%。已实现28纳米及以上成熟逻辑制程、NAND设备国产化。
未来国产化空间：DRAM设备国产化率仅约30%，先进逻辑（7纳米及以下）国产化率极低，两者均有强烈替代诉求。
存储周期景气度+国内厂商市占率提升：AI驱动存储需求旺盛，长存、扩产及市占率提升将带动资本开支增长。
工艺迭代带来单位设备开支密度增长：
NAND堆叠层数提升（200层→300层→400层），单万片设备投资额复合增速25%-30%，薄膜沉积、刻蚀、CMP抛光设备受益显著。
HBM扩产较传统DDR单万片投资额大幅增长，需新增TSV及后端封装测试产能。
行业加速逻辑：AI驱动的高景气度可能将设备国产化与扩产进程从5年缩短至3-4年，2026年为长存300层NAND、HBM突破的关键节点，建议重点关注。
6.存储核心标的
拓荆科技（存储敞口60%+）
中微公司（存储敞口60%+）
盛美上海（存储敞口50%+，1.4nm逻辑工艺验证加速）
华海清科（存储敞口50%+）
京仪装备（存储敞口50%+、分子泵即将进入长存）
中科飞测（暗场检测全国独供，明场检测独供）
骄成超声（3D超扫设备突破两存，先进封装积极导入）
精智达（FT高速机和CP二代机验证通过在即，绑定弹性较大）
零部件：珂玛科技（陶瓷加热盘新增进入头部存储设备企业，批量订单已落地）
逻辑晶圆代工（4F2+CBA)：晶合集成（）、华润微（长存）、燕东微（北京先进制程预期）
硅片：神工股份、立昂微
1.存储行业供需与价格趋势
存储价格上涨趋势：受AI需求旺盛及海外大厂缩减传统产能腾挪给AI需求影响，当前存储价格处于上涨通道，预计涨价趋势将至少持续至2026年中，2026-2027年存储端供给将非常紧俏。
2.NAND存储市场分析
全球NAND产能与减产情况：全球NAND当前产能约140万片，较2024年减产15%-20%，减产量级约20万片。
NAND需求结构与增长驱动：
现有产能中，企业级SSD需求占比40%-50%，对应60-70万片产能。
AI驱动企业级SSD需求高增长：未来几年企业级SSD需求复合增速预计为25%-30%，三四年翻一倍；现有60-70万片基础上，未来需求将翻倍至120-140万片。
明后年NAND供给侧释放较少，价格将保持坚挺，存储厂商将追加资本开支扩产。
长江存储（长存）产能与市占率：
长存现有产能约15万片，占全球NAND产能（140万片）的约10%。
细分领域市占率：手机端嵌入式产品市占率约20%，消费级PC SSD市占率不到10%，企业级SSD市占率不到5%。
市占率提升路径：传统领域（手机、消费级SSD）市占率提升+企业级SSD高增长，中长期市占率目标向中国大陆全球市场需求占比（20%-30%）靠拢，现有产能需翻倍，中长期规划扩产至30万片左右。
3. DRAM 存储市场分析
全球DRAM产能与需求结构：全球DRAM产能约200万片，服务器需求占比约30%，其中AI服务器需求占15%-20%；未来核心增长驱动为AI，尤其是HBM品类。
存储产能与市占率：
现有产能占全球DRAM比例不到10%，产品以传统DDR为主。
细分领域市占率：手机端DDR市占率约20%，PC端市占率不到10%，HBM产品处于0-1突破阶段。
成长路径：传统消费级市场（如PC）市占率从不到10%提升至20%-30%+HBM产品突破，中长期市占率目标向中国大陆全球市场需求占比（20%以上）靠拢，现有产能需翻倍。
4.国内存储厂商技术追赶与突破
长江存储技术进展：
长存与海外技术差距因2022年出口管制放慢，但当前差距已明显缩小；2026年有望量产300层NAND产品，届时与海外（布局400层）仅差一个代际，未来1-2年将进入加速追赶阶段，有望与海外同代际竞争。
存储技术进展：
传统DDR工艺为16纳米级D4，与海外差2-3个代际；HBM处于HBM3阶段，海外2026年将进入HBM4/HBM4E开发，差2个代际。
2026年关键节点：若HBM实现0-1突破，将成为未来收入增长核心驱动力，有望带来资本开支超预期。
3D DRAM技术趋势：3D DRAM对光刻机依赖大幅降低，对薄膜沉积、刻蚀设备需求大幅提升；海外预计2028-2029年量产，国内厂商有望借此弯道超车。
5.存储设备行业弹性分析
中国市场国产化机会
国产化率提升：2025年Q3中国半导体设备国产化率约23%，2026年预计提升至29%（较2025年提升6个百分点）；若剔除光刻机（占设备成本30%），非光刻设备国产化率预计接近40%。已实现28纳米及以上成熟逻辑制程、NAND设备国产化。
未来国产化空间：DRAM设备国产化率仅约30%，先进逻辑（7纳米及以下）国产化率极低，两者均有强烈替代诉求。
存储周期景气度+国内厂商市占率提升：AI驱动存储需求旺盛，长存、扩产及市占率提升将带动资本开支增长。
工艺迭代带来单位设备开支密度增长：
NAND堆叠层数提升（200层→300层→400层），单万片设备投资额复合增速25%-30%，薄膜沉积、刻蚀、CMP抛光设备受益显著。
HBM扩产较传统DDR单万片投资额大幅增长，需新增TSV及后端封装测试产能。
行业加速逻辑：AI驱动的高景气度可能将设备国产化与扩产进程从5年缩短至3-4年，2026年为长存300层NAND、HBM突破的关键节点，建议重点关注。
6.存储核心标的
拓荆科技（存储敞口60%+）
中微公司（存储敞口60%+）
盛美上海（存储敞口50%+，1.4nm逻辑工艺验证加速）
华海清科（存储敞口50%+）
京仪装备（存储敞口50%+、分子泵即将进入长存）
中科飞测（暗场检测全国独供，明场检测独供）
骄成超声（3D超扫设备突破两存，先进封装积极导入）
精智达（FT高速机和CP二代机验证通过在即，绑定弹性较大）
零部件：珂玛科技（陶瓷加热盘新增进入头部存储设备企业，批量订单已落地）
逻辑晶圆代工（4F2+CBA)：晶合集成（）、华润微（长存）、燕东微（北京先进制程预期）
硅片：神工股份、立昂微
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