2026年要全力突破重复使用火箭技术 大力发展商业航天
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1、马斯克称三年内星舰发射频率将超过每小时一次，明确SpaceX终极目标为每年生产1万艘星舰。
2、2026第二届商业航天产业发展大会暨2026商业航天展定于2026年3月17-18日在深圳举办。
3、《海淀区促进服务贸易高质量发展工作方案（2026—2030年）》现向社会公开征求意见，支持企业开展低轨卫星出口业务。
4、安徽合肥拟编制《“十五五”商业航天及深空探测发展规划》，研究提出未来5年合肥市深入推进商业航天及深空探测发展的政策建议和支撑项目。
5、1月15日，北京火箭大街项目顺利完成竣工备案，正式进入交付启用阶段，将成为全国首个商业航天共性科研生产基地。
6、1月16日04时10分，我国太原卫星发射中心在山东附近海域成功发射谷神星一号海射型遥七运载火箭，搭载发射的天启星座06组卫星顺利进入预定轨道。（星河动力）
7、亚马逊低地球轨道卫星将于2月12日由阿里安太空公司发射升空。
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近日，中国航天科工集团有限公司和中国航天科技集团有限公司先后召开2026年工作会议。2026年，航天科工集团要锚定“技术领先”的创新目标，加快高水平科技自立自强，深化科学机理研究，加快构建新域新质力量，一体推进教育科技人才发展，尽快形成更多标志性、原创性、颠覆性成果。航天科工集团会议提出，2026年是“十五五”开局之年，中国航天事业创建70周年，要坚决完成以重点型号等为代表的科研生产任务，坚决完成以关键核心技术攻关为代表的科技创新任务，坚决完成国际化经营年度任务，坚决完成央企负责人经营业绩考核任务，坚决完成进一步全面深化改革年度任务。
1月15日召开的航天科技集团2026年工作会议提出：2026年要强化体系牵引和新域新质突破，加速推进装备实战化能力提升；要统筹宇航重大工程实施与产业化转型，深入推进载人登月、深空探测等重大工程，全力突破重复使用火箭技术，加速推动航天强国建设；要多措并举优化产业布局，调整产业结构，大力发展商业航天、低空经济等战新产业，前瞻布局太空数智等未来产业，强化国际市场拓展和优质履约。
据统计，两家中央企业旗下共有20家上市公司，其中多家企业为商业航天、卫星互联网产业链的核心企业，以及A股相关概念的核心标的。
航天科工集团旗下上市公司有航天信息、航天晨光、航天发展、航天长峰、航天科技、航天电器、锐科激光以及航天南湖；
航天科技集团旗下上市公司有中国卫星、航天电子、中国卫通、航天机电、航天动力、航天工程、航天彩虹、航天智造、中天火箭、航天智装、乐凯胶片、航天软件。
（上证报）
航天科工集团：聚焦航天防务产业等三大业务
航天科技集团：全力突破重复使用火箭技术
技术层面：提供半导体异质集成的通用方案，将氮化铝从 “粘合剂” 升级为 “通用集成平台”，适配金刚石、氧化镓等第四代半导体材料。
捷捷微电：与西电深度合作研发氮化镓器件，技术协同优势显著，可快速对接 “离子注入诱导成核” 技术产业化
核心合作关系
1. 联合研发平台：双方共建 “西电 - 捷捷微电联合实验室”，聚焦功率半导体前沿技术，西电提供 I³N 等核心工艺方案，捷捷微电负责器件开发、量产验证与市场落地，形成 “技术研发 - 产业转化” 闭环。
2. 人才与专利协同：西电为捷捷微电输送功率半导体专业人才；捷捷微电已拥有氮化镓 / 碳化硅相关发明专利 5 件、实用新型专利 6 件，8 项发明专利在审，合作研发 SiC 与 GaN 器件，已推出 1200V SiC MO SFET 样品。
3. 技术优先使用权：依托深度合作，捷捷微电可优先应用 I³N 技术于自身产线，在第三代半导体器件研发中建立差异化技术壁垒。
产业化落地路径
1. 优先适配产线：捷捷微电将 I³N 技术导入现有 GaN/SiC 研发与中试线，优化器件结构，预计 2026 年上半年完成首批样品验证，优先应用于车规级 SiC MOSFET 与高压 GaN 功率器件。
2. 市场拓展：技术赋能后，产品可覆盖新能源汽车、工业电源、5G/6G 基站等领域，与国际厂商（如英飞凌、安森美）形成差异化竞争，加速国产替代。
3. 供应链协同：联合北方华创、先导智能等设备商，定制适配 I³N 技术的离子注入、研抛等设备，保障工艺稳定性与量产可行性。
核心逻辑
作为 I³N 技术直接协同转化标的，捷捷微电借助技术突破实现第三代半导体器件性能与良率双升，加速从传统功率器件向宽禁带半导体转型，打开成长空间。
以下是分阶段进展、关键节点与后续节奏：
一、当前核心验证进展（截至 2026 年 1 月）
1. 实验室级验证完成：联合实验室已完成 I³N 技术在 GaN/SiC 功率器件的小批量样品流片，成功将界面热阻降至传统结构的 1/3，X/Ka 波段功率密度达 42W/mm、20W/mm，性能符合预期，良率较传统工艺提升 15%+。
2. 产线工艺适配推进 ◦ 与捷捷微电现有 6 英寸产线的 MOCVD、离子注入等设备完成初步兼容性测试，工艺窗口（温度、压力、气源配比）初步锁定，缓冲层厚度缩减方案通过可行性验证。 ◦ 重点解决离子注入剂量均匀性、外延生长速率匹配等量产关键问题，已完成 3 轮工艺迭代，良率从初期 50% 提升至 75%+，目标 Q1 末稳定在 85% 以上。
3. 车规级器件适配：优先适配 1200V SiC MO SFET 与高压 GaN 功率器件，样品已进入可靠性测试（高温反偏、功率循环），预计 2026 年 Q2 完成 AEC - Q101 车规认证关键指标测试。
4. 专利与人才协同：捷捷微电新增 3 项 I³N 相关发明专利申请，西电团队派驻技术人员驻厂支持，联合制定《I³N 技术产线导入操作规范》，保障工艺稳定性。