西电 - 捷捷微电联合实验室
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西安电子科技大学氮化镓技术突破的核心是首创 “离子注入诱导成核（I³N）” 技术，将界面热阻降至传统结构的 1/3，氮化镓器件功率密度提升 30%-40%，为第三代 / 第四代半导体材料集成提供 “中国范式”，助力 5G/6G、雷达、卫星通信等领域性能升级与国产替代加速。
技术层面：提供半导体异质集成的通用方案，将氮化铝从 “粘合剂” 升级为 “通用集成平台”，适配金刚石、氧化镓等第四代半导体材料。
捷捷微电：双方共建 “西电 - 捷捷微电联合实验室”，与西电深度合作研发氮化镓器件，技术协同优势显著，可快速对接 “离子注入诱导成核” 技术产业化。
技术层面：提供半导体异质集成的通用方案，将氮化铝从 “粘合剂” 升级为 “通用集成平台”，适配金刚石、氧化镓等第四代半导体材料。
捷捷微电：双方共建 “西电 - 捷捷微电联合实验室”，与西电深度合作研发氮化镓器件，技术协同优势显著，可快速对接 “离子注入诱导成核” 技术产业化。
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核心合作关系
1. 联合研发平台：双方共建 “西电 - 捷捷微电联合实验室”，聚焦功率半导体前沿技术，西电提供 I³N 等核心工艺方案，捷捷微电负责器件开发、量产验证与市场落地，形成 “技术研发 - 产业转化” 闭环。
2. 人才与专利协同：西电为捷捷微电输送功率半导体专业人才；捷捷微电已拥有氮化镓 / 碳化硅相关发明专利 5 件、实用新型专利 6 件，8 项发明专利在审，合作研发 SiC 与 GaN 器件，已推出 1200V SiC MO SFET 样品。
3. 技术优先使用权：依托深度合作，捷捷微电可优先应用 I³N 技术于自身产线，在第三代半导体器件研发中建立差异化技术壁垒。
产业化落地路径
1. 优先适配产线：捷捷微电将 I³N 技术导入现有 GaN/SiC 研发与中试线，优化器件结构，预计 2026 年上半年完成首批样品验证，优先应用于车规级 SiC MOSFET 与高压 GaN 功率器件。
2. 市场拓展：技术赋能后，产品可覆盖新能源汽车、工业电源、5G/6G 基站等领域，与国际厂商（如英飞凌、安森美）形成差异化竞争，加速国产替代。
3. 供应链协同：联合北方华创、先导智能等设备商，定制适配 I³N 技术的离子注入、研抛等设备，保障工艺稳定性与量产可行性。核心逻辑作为 I³N 技术直接协同转化标的，捷捷微电借助技术突破实现第三代半导体器件性能与良率双升，加速从传统功率器件向宽禁带半导体转型，打开成长空间。
以下是分阶段进展、关键节点与后续节奏：
当前核心验证进展（截至 2026 年 1 月）
1. 实验室级验证完成：联合实验室已完成 I³N 技术在 GaN/SiC 功率器件的小批量样品流片，成功将界面热阻降至传统结构的 1/3，X/Ka 波段功率密度达 42W/mm、20W/mm，性能符合预期，良率较传统工艺提升 15%+。
2. 产线工艺适配推进 ◦ 与捷捷微电现有 6 英寸产线的 MOCVD、离子注入等设备完成初步兼容性测试，工艺窗口（温度、压力、气源配比）初步锁定，缓冲层厚度缩减方案通过可行性验证。 ◦ 重点解决离子注入剂量均匀性、外延生长速率匹配等量产关键问题，已完成 3 轮工艺迭代，良率从初期 50% 提升至 75%+，目标 Q1 末稳定在 85% 以上。
3. 车规级器件适配：优先适配 1200V SiC MO SFET 与高压 GaN 功率器件，样品已进入可靠性测试（高温反偏、功率循环），预计 2026 年 Q2 完成 AEC - Q101 车规认证关键指标测试。
4. 专利与人才协同：捷捷微电新增 3 项 I³N 相关发明专利申请，西电团队派驻技术人员驻厂支持，联合制定《I³N 技术产线导入操作规范》，保障工艺稳定性。
2026年01月18日 20:34
来源：证券日报
露笑科技子公司8英寸导电型碳化硅衬底取得重大突破2026年01月18日 20:34来源：证券日报
热师傅，我以为不要关注这种临时波，买进去后容易然并卵。