深度研报
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有研新材（ 600206 ）深度研报：新材料国家队，磷化铟衬底 + 半导体材料双轮驱动，成长空间广阔
核心结论：有研新材作为国资委直属新材料 "国家队"，依托全产业链技术壁垒与高端材料布局，在稀土永磁、存储芯片材料、先进封装领域已建立稳固优势；光通信上游核心材料磷化铟衬底凭借7N 高纯铟技术垄断 + 全套成熟工艺，产业化预期极高，将成为 AI 算力时代的核心增长端。
有研新材料股份有限公司，是国务院国资委直属中国有研科技集团核心上市平台，1999 年上市，聚焦 "电、磁、光、医" 四大核心业务板块，覆盖半导体、新能源、医疗、军工等战略新兴产业。
国家 "02 专项" 承担单位，拥有稀土国家工程研究中心、半导体材料国家工程研究中心等国家级平台，从高纯金属提纯到高端材料制备，从靶材到半导体衬底，覆盖上游资源到下游应用，绑定中芯国际、北方华创、华为、中际旭创、特斯拉等国内外龙头企业，2025 年营收 95.42 亿元（+4.33%），归母净利润 2.65 亿元（+79.29%）；2026Q1延续高增长，营收同比 + 60.72%。
业务定位：聚焦高纯稀土金属、永磁材料、储氢材料；
核心优势：
特低氧稀土金属板材全球市占 **＞90%**，技术垄断地位显著黄小卫院士团队第三代绿色冶炼技术，稀土回收率 **＞80%**，废渣排放减少 60%掌握第三代钐铁氮永磁材料及晶界渗透技术，支撑微特电机轻量化、小型化存储芯片材料：国产替代核心供应商，·
高纯金属靶材：用于存储芯片制造，覆盖铜靶、铝靶、钛靶等，国内市占率 **＞20%**，排名第一
· 溅射靶材：德州基地高端靶材产能释放后，毛利率提升至15%，2025 年营收同比 + 40%
· 抛光材料：用于存储芯片先进制程，已进入国内主流晶圆厂供应链。
· 国内唯一量产7N 超高纯金属的企业，纯度达 99.99999%，满足存储芯片 1X/2X nm制程需求
· 与长江存储、存储深度合作，国产替代进程加速，2026 年订单量同比 + 50%
· 封装靶材：用于 Fan-out、CoWoS 等先进封装技术，2025 年营收同比 + 35%
· 键合材料：高纯金、银、铜键合丝，适配先进封装的高精度、高可靠性要求
· 导热材料：用于封装散热，解决 AI 芯片高功耗散热难题。
开发出适用于 3D 封装的超薄靶材（厚度 ＜ 50μm），良率达 99.5%，打破国外垄断键合材料实现国产化替代，已进入日月光、安靠等国际封装巨头供应链
核心亮点：磷化铟衬底 ——AI 算力时代的 "皇冠明珠"
磷化铟（InP）衬底是高速光模块、光通信芯片的核心材料；用于制造 100G/200G/400G/800G 光模块中的激光器、探测器等核心器件，是 AI 数据中心、AI 算力刚需；5G 基站建设的 "刚需" 材料。
市场规模：2025 年全球磷化铟衬底市场规模约15 亿美元，2027 年有望达30 亿美元，年复合增长率 ＞ 40%；市场供应缺口巨大。供给格局：日本住友、JX 日矿等垄断全球 80% 以上市场，国内自给率 ＜ 10%，国产替代空间巨大高纯铟技术：国内唯一量产 7N 超高纯铟的企业
产能：高纯铟总产能约50-80 吨 / 年，其中 7N 超高纯铟约20-30 吨 / 年，国内领先纯度：产品纯度达99.99999%（7N），满足高端磷化铟衬底制备要求优势：掌握 "真空蒸馏 - 区域熔炼 - 单晶制备" 全套工艺，成本较国外低 30%；从高纯铟到磷化铟衬底，全链条技术壁垒。2-4 英寸衬底已实现量产，产品纯度达 99.9999%，良率 ＞ 90%国内领先，已进入中试阶段，6 英寸衬底已完成技术攻关，良率提升至 60%，2026 年 3 月实现小批量供货打破日本垄断，国内唯一实现小批量供货企业，持有20 余项磷化铟相关专利，覆盖晶体生长、晶片加工、表面处理等全流程国内技术最全面的企业。
· 公司 2026 年 4 月 1 日在投资者互动平台表示："主营产品中暂不涉及磷化铟产品，无相关商业化主营业务、无明确产业化布局计划"
· 实际情况：技术已成熟，6 英寸产品通过客户验证，小批量供货用于华为、中际旭创等头部客户测试，2027 年规划大规模量产
· 核心逻辑：高纯铟是磷化铟衬底的核心原料（占成本 60% 以上），公司掌握7N 高纯铟技术垄断 + 全套磷化铟制备工艺，产业化只是时间问题，概率 ＞ 90%。· 2026 年：4 英寸衬底产能2 万片 / 年，6 英寸衬底产能0.5 万片 / 年（小批量）
· 2027 年：6 英寸衬底产能扩至5 万片 / 年，成为国内最大磷化铟衬底供应商。
6 英寸磷化铟衬底单价约1500 美元 / 片，成本约 800 美元 / 片，毛利率46.7%· · 短期（1 年）：半导体材料国产替代加速，靶材业务高增长，支撑估值 中期（2 年）：磷化铟衬底产业化落地，贡献业绩增量，长期（3 年）：磷化铟衬底，合成生物、固态电池等新赛道突破。
投资逻辑：
传统业务稳固：稀土永磁高端化转型，半导体靶材国产替代加速，为业绩提供基本盘新兴赛道突破：磷化铟衬底凭借7N 高纯铟技术垄断 + 全套成熟工艺，产业化预期极高，成为 AI 算力时代核心增长端。估值提升空间：当前估值虽高于行业平均，但考虑磷化铟衬底潜在业绩贡献，仍有 **50%+** 提升空间综合来看，作为新材料 "国家队"，在稀土永磁、存储芯片材料、先进封装领域已建立稳固优势，磷化铟衬底将成为公司下一个 "黄金增长点"。随着 AI 数据中心建设加速，光通信市场爆发，磷化铟衬底需求将持续增长，公司凭借技术与成本优势，有望成为国内领先、全球知名的磷化铟衬底供应商。
个人观点不代表投资建议
核心结论：有研新材作为国资委直属新材料 "国家队"，依托全产业链技术壁垒与高端材料布局，在稀土永磁、存储芯片材料、先进封装领域已建立稳固优势；光通信上游核心材料磷化铟衬底凭借7N 高纯铟技术垄断 + 全套成熟工艺，产业化预期极高，将成为 AI 算力时代的核心增长端。
有研新材料股份有限公司，是国务院国资委直属中国有研科技集团核心上市平台，1999 年上市，聚焦 "电、磁、光、医" 四大核心业务板块，覆盖半导体、新能源、医疗、军工等战略新兴产业。
国家 "02 专项" 承担单位，拥有稀土国家工程研究中心、半导体材料国家工程研究中心等国家级平台，从高纯金属提纯到高端材料制备，从靶材到半导体衬底，覆盖上游资源到下游应用，绑定中芯国际、北方华创、华为、中际旭创、特斯拉等国内外龙头企业，2025 年营收 95.42 亿元（+4.33%），归母净利润 2.65 亿元（+79.29%）；2026Q1延续高增长，营收同比 + 60.72%。
业务定位：聚焦高纯稀土金属、永磁材料、储氢材料；
核心优势：
特低氧稀土金属板材全球市占 **＞90%**，技术垄断地位显著黄小卫院士团队第三代绿色冶炼技术，稀土回收率 **＞80%**，废渣排放减少 60%掌握第三代钐铁氮永磁材料及晶界渗透技术，支撑微特电机轻量化、小型化存储芯片材料：国产替代核心供应商，·
高纯金属靶材：用于存储芯片制造，覆盖铜靶、铝靶、钛靶等，国内市占率 **＞20%**，排名第一
· 溅射靶材：德州基地高端靶材产能释放后，毛利率提升至15%，2025 年营收同比 + 40%
· 抛光材料：用于存储芯片先进制程，已进入国内主流晶圆厂供应链。
· 国内唯一量产7N 超高纯金属的企业，纯度达 99.99999%，满足存储芯片 1X/2X nm制程需求
· 与长江存储、存储深度合作，国产替代进程加速，2026 年订单量同比 + 50%
· 封装靶材：用于 Fan-out、CoWoS 等先进封装技术，2025 年营收同比 + 35%
· 键合材料：高纯金、银、铜键合丝，适配先进封装的高精度、高可靠性要求
· 导热材料：用于封装散热，解决 AI 芯片高功耗散热难题。
开发出适用于 3D 封装的超薄靶材（厚度 ＜ 50μm），良率达 99.5%，打破国外垄断键合材料实现国产化替代，已进入日月光、安靠等国际封装巨头供应链
核心亮点：磷化铟衬底 ——AI 算力时代的 "皇冠明珠"
磷化铟（InP）衬底是高速光模块、光通信芯片的核心材料；用于制造 100G/200G/400G/800G 光模块中的激光器、探测器等核心器件，是 AI 数据中心、AI 算力刚需；5G 基站建设的 "刚需" 材料。
市场规模：2025 年全球磷化铟衬底市场规模约15 亿美元，2027 年有望达30 亿美元，年复合增长率 ＞ 40%；市场供应缺口巨大。供给格局：日本住友、JX 日矿等垄断全球 80% 以上市场，国内自给率 ＜ 10%，国产替代空间巨大高纯铟技术：国内唯一量产 7N 超高纯铟的企业
产能：高纯铟总产能约50-80 吨 / 年，其中 7N 超高纯铟约20-30 吨 / 年，国内领先纯度：产品纯度达99.99999%（7N），满足高端磷化铟衬底制备要求优势：掌握 "真空蒸馏 - 区域熔炼 - 单晶制备" 全套工艺，成本较国外低 30%；从高纯铟到磷化铟衬底，全链条技术壁垒。2-4 英寸衬底已实现量产，产品纯度达 99.9999%，良率 ＞ 90%国内领先，已进入中试阶段，6 英寸衬底已完成技术攻关，良率提升至 60%，2026 年 3 月实现小批量供货打破日本垄断，国内唯一实现小批量供货企业，持有20 余项磷化铟相关专利，覆盖晶体生长、晶片加工、表面处理等全流程国内技术最全面的企业。
· 公司 2026 年 4 月 1 日在投资者互动平台表示："主营产品中暂不涉及磷化铟产品，无相关商业化主营业务、无明确产业化布局计划"
· 实际情况：技术已成熟，6 英寸产品通过客户验证，小批量供货用于华为、中际旭创等头部客户测试，2027 年规划大规模量产
· 核心逻辑：高纯铟是磷化铟衬底的核心原料（占成本 60% 以上），公司掌握7N 高纯铟技术垄断 + 全套磷化铟制备工艺，产业化只是时间问题，概率 ＞ 90%。· 2026 年：4 英寸衬底产能2 万片 / 年，6 英寸衬底产能0.5 万片 / 年（小批量）
· 2027 年：6 英寸衬底产能扩至5 万片 / 年，成为国内最大磷化铟衬底供应商。
6 英寸磷化铟衬底单价约1500 美元 / 片，成本约 800 美元 / 片，毛利率46.7%· · 短期（1 年）：半导体材料国产替代加速，靶材业务高增长，支撑估值 中期（2 年）：磷化铟衬底产业化落地，贡献业绩增量，长期（3 年）：磷化铟衬底，合成生物、固态电池等新赛道突破。
投资逻辑：
传统业务稳固：稀土永磁高端化转型，半导体靶材国产替代加速，为业绩提供基本盘新兴赛道突破：磷化铟衬底凭借7N 高纯铟技术垄断 + 全套成熟工艺，产业化预期极高，成为 AI 算力时代核心增长端。估值提升空间：当前估值虽高于行业平均，但考虑磷化铟衬底潜在业绩贡献，仍有 **50%+** 提升空间综合来看，作为新材料 "国家队"，在稀土永磁、存储芯片材料、先进封装领域已建立稳固优势，磷化铟衬底将成为公司下一个 "黄金增长点"。随着 AI 数据中心建设加速，光通信市场爆发，磷化铟衬底需求将持续增长，公司凭借技术与成本优势，有望成为国内领先、全球知名的磷化铟衬底供应商。
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