光刻胶（Photoresist）是芯片制造的核心 “感光材料”，相当于芯片的 “底片 / 印泥”，决定图形精度与良率，也是国产化最卡脖子的材料之一。[淘股吧]
一、基本概念与原理
定义：对光敏感的混合液体，由 ** 感光树脂（10–40%）、光引发剂（1–6%）、溶剂（50–90%）、添加剂（＜1%）** 组成。
作用：经曝光、显影，把掩模版（电路图纸）的图案转移到硅片上，后续刻蚀 / 离子注入时保护下层材料。
正胶 vs 负胶
正胶：曝光区溶解、未曝光区保留 → 分辨率高（主流，如 KrF/ArF）。
负胶：曝光区固化保留、未曝光区溶解 → 分辨率低，用于粗线条 / 厚胶场景。

二、光刻胶四大层级（按波长 / 制程，壁垒从低到高）

1）g 线（436nm）→ ≥350nm 制程
用途：分立器件、低端功率半导体、PCB、面板。
国产化：100%（容大感光、晶瑞电材）。
2）i 线（365nm）→ 180–350nm 制程
用途：MCU、模拟芯片、传感器、车规低端芯片。
国产化：约 70%（晶瑞电材、上海新阳、彤程新材）。
3）KrF（248nm）→ 130–90nm 制程
用途：逻辑 / 存储中后段、先进封装、功率半导体。
国产化：约 40%（彤程新材（北京科华）、华懋科技）。
4）ArF（193nm）→ 7–65nm 制程（含浸没式）
用途：7–28nm 先进逻辑、先进存储（如 3D NAND）。
国产化：＜5%，仅南大光电实现 28nm 浸没式量产；彤程 / 上海新阳小批量。
5）EUV（13.5nm）→ 3nm 及以下（最尖端）
用途：3nm/2nm 先进制程（台积电 / 三星）。
国产化：0%，完全依赖日本 JSR / 信越、美国杜邦；国内研发中。


三、全球格局（高度垄断，日企主导）

日本（约 80% 份额）：JSR、信越化学、东京应化（TOK）（ArF/EUV 绝对垄断）。
美国：杜邦（EUV）、陶氏（PCB / 面板）。
韩国：LG 化学（面板）、东进世美肯（PCB / 面板）。

四、国产替代全景（2026）

1）半导体光刻胶（卡脖子核心）

g/i 线：晶瑞电材、容大感光、上海新阳、彤程新材（北京科华）。
KrF：彤程新材（市占约 40%）、华懋科技、南大光电（中试）。
ArF：南大光电（唯一量产，28nm 浸没式）、彤程新材（批量）、上海新阳（小批量）。
EUV：北京科华、南大光电（研发 / 中试）。
2）面板光刻胶（LCD/ OLED ）
彩色 / 黑色光刻胶：雅克科技（收购 LG）、永太科技、飞凯材料、上海新阳。

3）PCB 光刻胶（最成熟，国产化 95%+）
干膜 / 湿膜：容大感光、东方材料、飞凯材料、北京力达等。

五、核心壁垒（为什么难）
1.配方壁垒：类似高端香水，微量添加剂决定性能，日企保密 30 年 +。
2.纯度要求：金属离子≤ppb 级（10⁻⁹），杂质导致良率暴跌。
3.验证周期：晶圆厂认证12–24 个月，需流片、良率、可靠性全验证。
3.设备依赖：需EUV/DUV 光刻机、涂胶显影、电子束检测等高端设备配套。

六、投资主线（2026）
ArF 突破：南大光电（唯一量产）、彤程新材（批量）。
KrF 放量：彤程新材（北京科华）、华懋科技（国产替代加速）。
i 线弹性：晶瑞电材、上海新阳（成熟制程扩产受益）。
$南大光电(sz300346)$ $雅克科技(sz002409)$ $上海新阳(sz300236)$