国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置的专利，公开号CN115732569B，申请公布日2026-06-16[淘股吧]

专利摘要显示，本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置,其中,一种薄膜晶体管,包括:衬底基板;叠层设置在衬底基板一侧的第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二栅极,第一栅极和第二栅极输入相同的栅信号;设置在衬底基板一侧的源极和漏极;设置在衬底基板一侧的至少一个辅助电极,辅助电极与漏极电连接,辅助电极与有源层在垂直于衬底基板的投影至少部分交叠。本申请实施例提供的薄膜晶体管,通过设置辅助电极与漏极进行连接,辅助栅极进行控制,增加了栅极与沟道的接触面积,增大栅极的控制能力;通过辅助电极与漏极进行连接,增加了器件的势垒宽度,减小漏电流,增加器件的开关比,同时抑制器件双极性。
国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置的专利，公开号CN115732569B，申请公布日2026-06-16

专利摘要显示，本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及制备方法、显示装置,其中,一种薄膜晶体管,包括:衬底基板;叠层设置在衬底基板一侧的第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二栅极,第一栅极和第二栅极输入相同的栅信号;设置在衬底基板一侧的源极和漏极;设置在衬底基板一侧的至少一个辅助电极,辅助电极与漏极电连接,辅助电极与有源层在垂直于衬底基板的投影至少部分交叠。本申请实施例提供的薄膜晶体管,通过设置辅助电极与漏极进行连接,辅助栅极进行控制,增加了栅极与沟道的接触面积,增大栅极的控制能力;通过辅助电极与漏极进行连接,增加了器件的势垒宽度,减小漏电流,增加器件的开关比,同时抑制器件双极性。