一、第三代SGT屏蔽栅MOS（公司第一核心壁垒，AI服务器刚需）

1. 技术原理
屏蔽栅沟槽结构，叠加水平+垂直双重电场耗尽，相比普通沟槽MOS大幅降低导通损耗、开关损耗，反向恢复电荷Qrr最高下降86%，反向安全工作区提升5倍。

2. 第三代平台核心优势

• 导通电阻Ron.sp较二代降低30%，品质因子FOM下降30%，综合性能对标英飞凌、安森美国际一线；

• 全系列通过车规IATF1