一、第三代SGT屏蔽栅MOS（公司第一核心壁垒，AI服务器刚需）

1. 技术原理
屏蔽栅沟槽结构，叠加水平+垂直双重电场耗尽，相比普通沟槽MOS大幅降低导通损耗、开关损耗，反向恢复电荷Qrr最高下降86%，反向安全工作区提升5倍。

2. 第三代平台核心优势

• 导通电阻Ron.sp较二代降低30%，品质因子FOM下降30%，综合性能对标英飞凌、安森美国际一线；

• 全系列通过车规IATF16949认证，覆盖30V~150V，适配AI服务器48V转12V供电、车载域控、大功率储能电源；

• 国内少数在12英寸晶圆平台实现SGT量产的设计厂商，产能、成本优势显著，深度进入英伟达GPU电源供应链，是本轮7月涨价主力受益产品。

3. 业绩价值
SGT产品毛利率比普通MOS高8~12个点，是公司盈利核心，2024年营收占比超42%，涨价弹性最大。

二、超结SJ MO SFET 高压平台（光伏/储能/AI高压电源）

1. 行业地位
国内最早实现超结MOS规模化量产的企业之一，电压覆盖200V~900V高压区间。

2. 技术优势
优化漂移区电场分布，高温下导通电阻增幅更小，175℃高温工况电流承载能力更强；开关损耗低，适配微型逆变器、充电桩、AI服务器高压输入电源。

3. 配套7月涨价逻辑
储能、AI算力高压电源需求爆发，200V/600V超结料号7月涨价15%~25%，订单排至2027年。

三、第七代IGBT芯片设计技术（光伏储能第二增长曲线）

1. 技术迭代
自研第七代沟槽型IGBT，第八代产品已批量出货，优化载流子寿命控制，导通压降、开关损耗双优化，适配光伏逆变器、储能变流器。

2. 盈利优势
光伏专用IGBT毛利率超40%，国产替代空间大，避开海外大厂垄断区间，本轮功率涨价同步上调IGBT报价。

四、12英寸先进流片量产工艺能力（行业稀缺壁垒）

国内功率设计厂中，与华虹宏力深度绑定，8/12英寸全工艺稳定投片：

1. 12英寸晶圆单颗芯片成本更低，同等产能下供货规模更大；

2. 产能紧缺周期，头部代工厂优先保障其流片产能，是本轮涨价周期能稳定供货、具备定价权的底层支撑；

3. 同时配套自建封测子公司（电基集成），芯片设计+封装一体化，品控、交付周期自主可控。

五、第三代半导体SiC/GaN宽禁带技术（远期技术储备）

1. SiC MOSFET
自研650V/1200V碳化硅器件，适配800V高压新能源车、AI大功率储能电源，第二代SiC损耗对标海外Wolfspeed，良率提升至85%，单品毛利率45%+；目前头部车企、云厂商算力电源验证中。

2. GaN氮化镓
开发快充、服务器高频电源用GaN HEMT，布局高频低损耗下一代功率器件，适配高密度AI电源模块。

六、配套协同技术：全栈功率芯片IP与车规可靠性平台

1. 累计248项专利（发明专利122项），四大工艺平台（Trench/SGT/SJ/IGBT）完整自研IP，无需外购核心工艺授权；

2. 车规可靠性实验室，330+款产品完成车规认证，覆盖车载OBC、车身域控、热管理，车规产品溢价能力强；

3. 同步布局电源管理IC、电机驱动MCU，实现“功率器件+控制芯片”一体化方案，绑定AI服务器、人形机器人客户。